Transistor canal N IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V

Transistor canal N IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.04€
5-24
0.89€
25-49
0.79€
50-99
0.72€
100+
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Transistor canal N IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Charge: 16.7nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 27A. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 56W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 2.7K/W. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRLZ34N
39 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=100°C)
21A
Id (T=25°C)
30A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.035 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
55V
C (in)
880pF
C (out)
220pF
Charge
16.7nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
27A
Dissipation de puissance maxi
68W
Fonction
Commande de porte par niveau logique
Id(imp)
110A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Propriétés des éléments semi-conducteurs
Niveau logique
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
56W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
2.7K/W
Td(off)
21 ns
Td(on)
8.9 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
55V
Tension grille-source
16V, ±16V
Tension grille/source Vgs
16V
Trr Diode (Min.)
76 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier