Transistor canal N IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V
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Transistor canal N IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Charge: 16.7nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 27A. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 56W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 2.7K/W. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43