Transistor canal N IXFH26N50Q, TO-247AD, 500V

Transistor canal N IXFH26N50Q, TO-247AD, 500V

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Transistor canal N IXFH26N50Q, TO-247AD, 500V. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 26A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXFH26N50. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IXFH26N50Q
16 paramètres
Boîtier
TO-247AD
Tension drain-source Uds [V]
500V
Capacité de grille Ciss [pF]
4200pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
26A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ 13A
Dissipation maximale Ptot [W]
300W
Délai de coupure tf[nsec.]
65 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IXFH26N50
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
16 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4.5V
Produit d'origine constructeur
IXYS