Transistor canal N IXFH13N80, TO-247AD, 800V
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Transistor canal N IXFH13N80, TO-247AD, 800V. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 63 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXFH13N80. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43
IXFH13N80
16 paramètres
Boîtier
TO-247AD
Tension drain-source Uds [V]
800V
Capacité de grille Ciss [pF]
4200pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
13A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.8 Ohms @ 6.5A
Dissipation maximale Ptot [W]
300W
Délai de coupure tf[nsec.]
63 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IXFH13N80
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
20 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4.5V
Produit d'origine constructeur
IXYS