Transistor canal N IXFH26N60Q, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4700pF. C (out): 580pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 360W. Id(imp): 104A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(off): 80 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 2.5V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43