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IRFP460B

Transistor canal N IRFP460B, 13A, 20A, 10uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3940pF. C (out): 152pF. Dissipation de puissance maxi: 278W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 62A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 117 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: D Series Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 437ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRFP460LC

Transistor canal N IRFP460LC, 12A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3600pF. C (out): 440pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: commutation rapide, charge de grille ultra faible. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRFP460LCPBF

Transistor canal N IRFP460LCPBF, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP460LCPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

IRFP460PBF

Transistor canal N IRFP460PBF, TO247, 500V, 500V, 500V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain maxi: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Dissipation de puissance maxi: 220W. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18.4A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP460PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 250W. RoHS: oui. Série: IRFP. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -30V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRFP4668

Transistor canal N IRFP4668, 92A, 130A, 0.1mA, 130A, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (maxi): 130A. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 520W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 520A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

IRFP4710

Transistor canal N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 51A. Id (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (maxi): 72A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6160pF. C (out): 440pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Power-MOSFET. Id(imp): 300A. Idss (min): 0.1uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Haute fréquence. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V...

IRFP4710PBF

Transistor canal N IRFP4710PBF, TO-247AC, 100V, 0.014 Ohms, 100V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6160pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 72A. Courant de drain maxi: 72A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP4710PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 190W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRFP7430

Transistor canal N IRFP7430, TO247AC. Boîtier: TO247AC. Charge: 1.6k Ohms. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 404A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 366W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 1.3M Ohms. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 40V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

IRFP90N20D

Transistor canal N IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 66A. Id (T=25°C): 94A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1070pF. C (out): 6040pF. Dissipation de puissance maxi: 580W. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 380A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 43 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

IRFP90N20DPBF

Transistor canal N IRFP90N20DPBF, TO-247AC, 200V, 0.02, 200V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.02. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Charge: 180nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 94A. Courant de drain maxi: 94A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Courant de drain: 94A. Dissipation maximale Ptot [W]: 580W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP90N20DPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 580W. RoHS: oui. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: ±30V. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET...

IRFPC50

Transistor canal N IRFPC50, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2700pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 44A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 88 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRFPC50A

Transistor canal N IRFPC50A, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.58 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2100pF. C (out): 270pF. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 44A. Idss (min): 25uA-. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 33 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRFPC50PBF

Transistor canal N IRFPC50PBF, TO-247AC, 600V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 88 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFPC50PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

IRFPC60

Transistor canal N IRFPC60, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 3900pF. C (out): 440pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 64A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 110 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRFPE40

Transistor canal N IRFPE40, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. Id (T=100°C): 3.4A. Id (T=25°C): 5.4A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1900pF. C (out): 470pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: commutation rapide, ORION TV. Id(imp): 22A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRFPE40PBF

Transistor canal N IRFPE40PBF, TO-247AC, 800V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFPE40PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

IRFPE50

Transistor canal N IRFPE50, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 7.8A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 800V. C (in): 3100pF. C (out): 800pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 31A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 120ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRFPE50PBF

Transistor canal N IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms, TO-247AC HV.. Tension drain - source (Vds): 800V. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-247AC HV.. Courant de drain maxi: 7.8A. Puissance: 190W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRFPF40

IRFPF50

Transistor canal N IRFPF50, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.7A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2900pF. C (out): 270pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 27A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRFPF50PBF

Transistor canal N IRFPF50PBF, TO-247AC, 900V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFPF50PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

IRFPG50

Transistor canal N IRFPG50, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 2800pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

IRFPG50PBF

Transistor canal N IRFPG50PBF, 1000V, 2 Ohms, TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 1000V. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-247AC. Courant de drain maxi: 6.1A. Puissance: 190W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRFPS37N50A

Transistor canal N IRFPS37N50A, 23A, 36A, 250uA, 0.13 Ohms, 17.4k Ohms, SUPER247, 500V. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Boîtier: 17.4k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SUPER247. Tension Vds(max): 500V. C (in): 5579pF. C (out): 810pF. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 144A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 52 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...