Transistor canal N IRFPF50, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V

Transistor canal N IRFPF50, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.23€
5-11
4.63€
12-24
4.28€
25+
3.93€
Quantité en stock: 63

Transistor canal N IRFPF50, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.7A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2900pF. C (out): 270pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 27A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFPF50
30 paramètres
Id (T=100°C)
4.2A
Id (T=25°C)
6.7A
Idss (maxi)
500uA
Résistance passante Rds On
1.6 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
900V
C (in)
2900pF
C (out)
270pF
Dissipation de puissance maxi
190W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
27A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
130 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
610 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier