Transistor canal N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Transistor canal N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.67€
5-24
4.25€
25-49
3.92€
50-99
3.63€
100+
3.25€
Quantité en stock: 19

Transistor canal N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 51A. Id (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (maxi): 72A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6160pF. C (out): 440pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Power-MOSFET. Id(imp): 300A. Idss (min): 0.1uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Haute fréquence. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFP4710
27 paramètres
Id (T=100°C)
51A
Id (T=25°C)
72A
Idss
250uA
Idss (maxi)
72A
Résistance passante Rds On
0.011 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
100V
C (in)
6160pF
C (out)
440pF
Dissipation de puissance maxi
190W
Fonction
Power-MOSFET
Id(imp)
300A
Idss (min)
0.1uA
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Remarque
Haute fréquence
Td(off)
41 ns
Td(on)
35 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Tension grille/source VGS (off) min.
3.5V
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5.5V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier