Transistor canal N IRFPG50, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 2800pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37