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IRFP150

Transistor canal N IRFP150, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 29A. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2800pF. C (out): 1100pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 230W. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFP150. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.69€

Quantité en stock: 44

IRFP22N50A

Transistor canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 22A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3450pF. C (out): 513pF. Dissipation de puissance maxi: 277W. Fonction: SMPS MOSFET. Id(imp): 88A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 47 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.34€

Quantité en stock: 31

IRFP240

Transistor canal N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1300pF. C (out): 400pF. Charge: 70nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 12A, 20A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFP240PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 4.6g. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.18 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) IRFP9240. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.74€

Quantité en stock: 70

IRFP250N

Transistor canal N IRFP250N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 2159pF. C (out): 315pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 214W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 186 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.87€

Quantité en stock: 105

IRFP260N

Transistor canal N IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4057pF. C (out): 603pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id(imp): 200A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 5.57g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 268 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.78€

Quantité en stock: 92

IRFP264

Transistor canal N IRFP264, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 38A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 250V. C (in): 5400pF. C (out): 870pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: commutation rapide, dv/dt dynamique. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 110 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.69€

Quantité en stock: 16

IRFP27N60KPBF

Transistor canal N IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4660pF. C (out): 460pF. Dissipation de puissance maxi: 500W. Fonction: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

9.89€

Quantité en stock: 13

IRFP2907

Transistor canal N IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6M Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. Id (T=100°C): 148A. Id (T=25°C): 209A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.6M Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 75V. C (in): 13000pF. C (out): 2100pF. Dissipation de puissance maxi: 470W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

7.11€

Quantité en stock: 63

IRFP3006PBF

Transistor canal N IRFP3006PBF, 190A, 270A, 250uA, 2.1M Ohms, TO-247, TO-247AC. Id (T=100°C): 190A. Id (T=25°C): 270A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. C (in): 8970pF. C (out): 1020pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 375W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 1080A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 4.58g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

8.41€

Quantité en stock: 29

IRFP31N50L

Transistor canal N IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 5000pF. C (out): 553pF. Dissipation de puissance maxi: 460W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 124A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 54 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

10.70€

Quantité en stock: 28

IRFP350

Transistor canal N IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 400V. C (in): 2600pF. C (out): 660pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: transistor MOSFET N. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 87 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance HEXFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.38€

Quantité en stock: 19

IRFP360

Transistor canal N IRFP360, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 400V. C (in): 4500pF. C (out): 1100pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Id(imp): 92A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.63€

Quantité en stock: 9

IRFP360LC

Transistor canal N IRFP360LC, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 400V. C (in): 3400pF. C (out): 540pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Id(imp): 91A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.41€

Quantité en stock: 115

IRFP3710

Transistor canal N IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.14€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 9

IRFP4227

Transistor canal N IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.021 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4600pF. C (out): 460pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.32€

Quantité en stock: 37

IRFP4229PBF

Transistor canal N IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.038 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 250V. C (in): 4560pF. C (out): 390pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 5.8g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.22€

Quantité en stock: 43

IRFP4242

Transistor canal N IRFP4242, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.049 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 300V. C (in): 7370pF. C (out): 520pF. Dissipation de puissance maxi: 430W. Id(imp): 190A. Idss (min): 5uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Idm--190Ap.. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

11.86€

Dernières pièces disponibles
Quantité en stock: 1

IRFP4332

Transistor canal N IRFP4332, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.029 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 250V. C (in): 5860pF. C (out): 530pF. Dissipation de puissance maxi: 360W. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 230A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Idm--230Ap. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.65€

Quantité en stock: 147

IRFP450

Transistor canal N IRFP450, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 8.7A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2600pF. C (out): 420pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 92us. Td(on): 17us. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 540 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.32€

Quantité en stock: 110

IRFP450LC

Transistor canal N IRFP450LC, 8.6A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 8.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2200pF. C (out): 320pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 580us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.67€

Quantité en stock: 25

IRFP4568PBF

Transistor canal N IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. Id (T=100°C): 121A. Id (T=25°C): 694A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0048 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 150V. C (in): 10470pF. C (out): 977pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 517W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 171A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 47 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

11.71€

Quantité en stock: 30

IRFP460

Transistor canal N IRFP460, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 4200pF. C (out): 870pF. Charge: 210nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 20A, 13A. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFP460PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 280W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.27 Ohms. Td(off): 110 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

6.31€

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IRFP460B

Transistor canal N IRFP460B, 13A, 20A, 10uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3940pF. C (out): 152pF. Dissipation de puissance maxi: 278W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 62A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 117 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: D Series Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 437ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.24€

Quantité en stock: 87

IRFP460LC

Transistor canal N IRFP460LC, 12A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3600pF. C (out): 440pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: commutation rapide, charge de grille ultra faible. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.39€

Quantité en stock: 57

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