Transistor canal N IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

Transistor canal N IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.16€
5-9
4.47€
10-24
4.03€
25-49
3.73€
50+
3.31€
Quantité en stock: 43

Transistor canal N IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.038 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 250V. C (in): 4560pF. C (out): 390pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 5.8g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFP4229PBF
34 paramètres
Id (T=100°C)
31A
Id (T=25°C)
44A
Idss (maxi)
1mA
Résistance passante Rds On
0.038 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
250V
C (in)
4560pF
C (out)
390pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
310W
Fonction
PDP MOSFET
Id(imp)
180A
Idss (min)
20uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Poids
5.8g
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
25 ns
Td(on)
44 ns
Technologie
HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH
Température de fonctionnement
-40...+175°C
Température
+175°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
190 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
25
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier