Transistor canal N IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

Transistor canal N IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.33€
5-9
3.80€
10-24
3.45€
25-49
3.19€
50+
2.84€
Quantité en stock: 19

Transistor canal N IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 400V. C (in): 2600pF. C (out): 660pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: transistor MOSFET N. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 87 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance HEXFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFP350
26 paramètres
Id (T=100°C)
9.6A
Id (T=25°C)
16A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.3 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
400V
C (in)
2600pF
C (out)
660pF
Dissipation de puissance maxi
190W
Fonction
transistor MOSFET N
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
87 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
MOSFET de puissance HEXFET
Température de fonctionnement
-50...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier