Recherche de produit: resistance 680 ohms 5w sqp5 680r

IRFL210

Transistor canal N IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 0.6A. Id (T=25°C): 0.96A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Id(imp): 7.7A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: Fc. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS FC. RoHS: oui. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.78€

Quantité en stock: 51

IRFL210PBF

Transistor canal N IRFL210PBF, SOT-223, 200V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.96A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: Fc. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.77€

Quantité en stock: 455

IRFL4105PBF

Transistor canal N IRFL4105PBF, SOT-223 ( TO-226 ), 55V, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 55V. C (in): 660pF. C (out): 230pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 660pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 3.7A. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 30A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: FL4105. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.1 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.22€

+207 rapidement
Quantité en stock: 152

IRFL4310PBF

Transistor canal N IRFL4310PBF, SOT-223, 100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL4310. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.47€

Quantité en stock: 396

IRFML8244TRPBF

Transistor canal N IRFML8244TRPBF, SOT23. Boîtier: SOT23. Charge: 5.4nC. Courant de drain: 5.8A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 1.25W. RoHS: oui. Résistance thermique: 100K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 25V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET...

0.83€

Quantité en stock: 100

IRFP044N

Transistor canal N IRFP044N, TO-247, 55V, 37A, 53A, 25uA, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247AC, 55V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1500pF. C (out): 450pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 53A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: PowerMOSFET. Id(imp): 180A. Marquage du fabricant: IRFP044N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 43 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Trr Diode (Min.): 72 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.41€

+37 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 98

IRFP048

Transistor canal N IRFP048, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Id (T=100°C): 52A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2400pF. C (out): 1300pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: PowerMOSFET. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 210 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.94€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 14

IRFP048NPBF

Transistor canal N IRFP048NPBF, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1900pF. C (out): 620pF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 210A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 32 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 94 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.57€

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Quantité en stock: 83

IRFP054

Transistor canal N IRFP054, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Id (T=100°C): 64A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 60V. C (in): 4500pF. C (out): 2000pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Id(imp): 360A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Td(off): 83 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.23€

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Quantité en stock: 30

IRFP054N

Transistor canal N IRFP054N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 81A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.012 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2900pF. C (out): 880pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 81 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

3.14€

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Quantité en stock: 108

IRFP064N

Transistor canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 4000pF. C (out): 1300pF. Charge: 113.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 98A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1K/W. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(off): 43 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.23€

+10 rapidement
Quantité en stock: 98

IRFP064NPBF

Transistor canal N IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V. Boîtier: TO247AC. Vdss (tension drain à source): 55V. Tension drain - source (Vds): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 110A. Courant de drain maxi: 98A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 110A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP064NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 150W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

9.47€

+100 rapidement
Quantité en stock: 373

IRFP064PBF

Transistor canal N IRFP064PBF, TO-247AC, 60V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 7400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 70A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP064PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 21 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

8.88€

Quantité en stock: 248

IRFP140

Transistor canal N IRFP140, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.077 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1700pF. C (out): 550pF. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 180W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) IRFP9140. RoHS: oui. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.56€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 60

IRFP1405PBF

Transistor canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5600pF. C (out): 1310pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 640A. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 310W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.16€

Quantité en stock: 45

IRFP140A

Transistor canal N IRFP140A, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 31A. Résistance passante Rds On: 0.51 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 131W. Fonction: PowerMOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.63€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 21

IRFP140N

Transistor canal N IRFP140N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: PowerMOSFET. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.33€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 57

IRFP150

Transistor canal N IRFP150, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 29A. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2800pF. C (out): 1100pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 230W. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFP150. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.69€

Quantité en stock: 44

IRFP150N

Transistor canal N IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.36 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1900pF. C (out): 450pF. Charge: 73.3nC, 110nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 30A, 39A. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 160W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.1K/W. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 2V...

2.55€

+5 rapidement
Quantité en stock: 38

IRFP150NPBF

Transistor canal N IRFP150NPBF, TO-247AC, 100V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 42A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP150NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.73€

Quantité en stock: 5

IRFP22N50A

Transistor canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 22A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3450pF. C (out): 513pF. Dissipation de puissance maxi: 277W. Fonction: SMPS MOSFET. Id(imp): 88A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 47 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.34€

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IRFP240

Transistor canal N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1300pF. C (out): 400pF. Charge: 70nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 12A, 20A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFP240PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 4.6g. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.18 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) IRFP9240. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.74€

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IRFP240PBF

Transistor canal N IRFP240PBF, TO247, 200V, 200V, 200V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain maxi: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 20A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP240PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 150W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...