Recherche de produit: resistance 680 ohms 5w sqp5 680r

IRFD220PBF

Transistor canal N IRFD220PBF, DIP, 200V, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 200V. Boîtier: DIP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Id (T=100°C): 0.38A. Id (T=25°C): 0.8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V. C (in): 22pF. C (out): 53pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 260pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 0.4A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id(imp): 6.4A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFD220PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.38€

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IRFI3205PBF

Transistor canal N IRFI3205PBF, ITO-220AB, 55V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Dissipation maximale Ptot [W]: 63W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI3205PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.55€

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IRFI520G

Transistor canal N IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 FULLPAK. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 37W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 29A. Idss (min): 25uA. Protection G-S: oui. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.74€

Quantité en stock: 95

IRFI520GPBF

Transistor canal N IRFI520GPBF, ITO-220AB, 100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 37W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI520GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.19€

Quantité en stock: 45

IRFI530GPBF

Transistor canal N IRFI530GPBF, ITO-220AB, 100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI530GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.84€

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IRFI540GPBF

Transistor canal N IRFI540GPBF, ITO-220AB, 100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 53 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI540GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.95€

Quantité en stock: 568

IRFI540NPBF

Transistor canal N IRFI540NPBF, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 FULLPAK. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Dissipation de puissance maxi: 54W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.64€

Quantité en stock: 24

IRFI630G

Transistor canal N IRFI630G, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 800pF. C (out): 240pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Id(imp): 36A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFI630G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.68€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 43

IRFI630GPBF

Transistor canal N IRFI630GPBF, ITO-220AB, 200V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI630GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.25€

Quantité en stock: 170

IRFI640GPBF

Transistor canal N IRFI640GPBF, ITO-220AB, 200V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI640GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.08€

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IRFI740GLC

Transistor canal N IRFI740GLC, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1100pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Ultra Low Gate Charge. Id(imp): 23A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 2500V. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 380 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.59€

Quantité en stock: 37

IRFI740GPBF

Transistor canal N IRFI740GPBF, TO-220-F., 400V, 0.55 Ohms 40W, 400V. Boîtier: TO-220-F.. Tension drain - source (Vds): 400V. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms 40W. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1370pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.4A. Courant de drain maxi: 5.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI740G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

4.14€

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IRFI840G

Transistor canal N IRFI840G, 500V, 0.85 Ohms, TO-220FP, 2.9A, 4.6A, 250uA, TO-220F, 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.6A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1300pF. C (out): 200pF. Courant de drain maxi: 4.6A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: diode. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.30€

+43 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 20

IRFI840GPBF

Transistor canal N IRFI840GPBF, ITO-220AB, 500V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI840GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.66€

Quantité en stock: 237

IRFIBC20G

Transistor canal N IRFIBC20G, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Id(imp): 6A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 290ms. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

1.69€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 31

IRFIBC30G

Transistor canal N IRFIBC30G, 1.5A, 2.5A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 660pF. C (out): 86pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Switching. Id(imp): 10A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.46€

Quantité en stock: 10

IRFIBC40G

Transistor canal N IRFIBC40G, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.2A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Id(imp): 14A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 470ms. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.49€

Quantité en stock: 47

IRFIBF30GPBF

Transistor canal N IRFIBF30GPBF, ITO-220AB, 900V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFIBF30GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

6.22€

Quantité en stock: 80

IRFIZ44N

Transistor canal N IRFIZ44N, 55V, 22A, 0.024 Ohms, 31A, TO-220FP, 31A, TO-220F, 55V. Tension drain - source (Vds): 55V. Id (T=100°C): 22A. Résistance passante Rds On: 0.024 Ohms. Id (T=25°C): 31A. Boîtier: TO-220FP. Idss (maxi): 31A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 55V. Courant de drain maxi: 31A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Puissance: 45W. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.45€

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IRFL014NPBF

Transistor canal N IRFL014NPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL014N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.47€

Quantité en stock: 314

IRFL014TRPBF

Transistor canal N IRFL014TRPBF, SOT-223, 60V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 13 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FA. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.77€

Quantité en stock: 90

IRFL024N

Transistor canal N IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 2.8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 55V. C (in): 400pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Equivalences: IRFL024NPBF. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 11.2A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 22.2 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.75€

Quantité en stock: 179

IRFL024NPBF

Transistor canal N IRFL024NPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 400pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL024N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.18€

Quantité en stock: 321

IRFL110PBF

Transistor canal N IRFL110PBF, SOT-223, 100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL110. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

0.88€

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