Transistor canal N IRFIBC30G, 1.5A, 2.5A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor canal N IRFIBC30G, 1.5A, 2.5A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.43€
5-24
2.11€
25-49
1.79€
50+
1.63€
Quantité en stock: 10

Transistor canal N IRFIBC30G, 1.5A, 2.5A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 660pF. C (out): 86pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Switching. Id(imp): 10A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFIBC30G
29 paramètres
Id (T=100°C)
1.5A
Id (T=25°C)
2.5A
Idss (maxi)
500uA
Résistance passante Rds On
2.2 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
600V
C (in)
660pF
C (out)
86pF
Dissipation de puissance maxi
35W
Fonction
Switching
Id(imp)
10A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
35 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
400 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier