Transistor canal N IRFIBC40G, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor canal N IRFIBC40G, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.46€
5-24
2.14€
25-49
1.80€
50+
1.63€
Quantité en stock: 47

Transistor canal N IRFIBC40G, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.2A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Id(imp): 14A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 470ms. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFIBC40G
28 paramètres
Id (T=100°C)
2.2A
Id (T=25°C)
3.5A
Idss (maxi)
500uA
Résistance passante Rds On
1.2 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
600V
C (in)
1300pF
C (out)
160pF
Dissipation de puissance maxi
40W
Id(imp)
14A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
55 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
470ms
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier