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HUF75645S3S

Transistor canal N HUF75645S3S, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AB ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 S. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.41€

Quantité en stock: 611

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HUF76121D3S

Transistor canal N HUF76121D3S, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 850pF. C (out): 465pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 76121D. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 58 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.58€

Quantité en stock: 95

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HUF76145P3

Transistor canal N HUF76145P3, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Délai de coupure tf[nsec.]: 135 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: HUF76145P3. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 110 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

2.36€

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IPA60R600E6

Transistor canal N IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Tension Vds(max): 650V. C (in): 440pF. C (out): 30pF. Dissipation de puissance maxi: 28W. Fonction: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 6R600E6. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). RoHS: oui. Td(off): 58 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

3.07€

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IPA80R1K0CEXKSA2

Transistor canal N IPA80R1K0CEXKSA2, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.83 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Tension Vds(max): 800V. C (in): 785pF. C (out): 33pF. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 8R1K0CE. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). RoHS: oui. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V...

2.60€

Quantité en stock: 45

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IPB020N10N5LFATMA1

Transistor canal N IPB020N10N5LFATMA1, D²-PAK, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 60.4k Ohms. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Délai de coupure tf[nsec.]: 128 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V...

43.28€

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IPB80N03S4L-02

Transistor canal N IPB80N03S4L-02, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 7500pF. C (out): 1900pF. Dissipation de puissance maxi: 136W. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 4N03L02. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Td(off): 62 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V...

3.14€

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IPB80N06S2-07

Transistor canal N IPB80N06S2-07, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5.6M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 3400pF. C (out): 880pF. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0607. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Td(off): 61 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

3.15€

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IPB80N06S2-08

Transistor canal N IPB80N06S2-08, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2860pF. C (out): 740pF. Dissipation de puissance maxi: 215W. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0608. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.40€

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IPB80N06S2-09

Transistor canal N IPB80N06S2-09, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2360pF. C (out): 610pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0609. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.74€

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IPD034N06N3GATMA1

Transistor canal N IPD034N06N3GATMA1, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2.8m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): PG-TO252-3 ( DPAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 8000pF. C (out): 1700pF. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 034N06N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 63 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.08€

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IPD050N03L-GATMA1

Transistor canal N IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2400pF. C (out): 920pF. Dissipation de puissance maxi: 68W. Id(imp): 350A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 050N03L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 6.7 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.31€

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IPD50N03S2L-06

Transistor canal N IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 27uA. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1900pF. C (out): 760pF. Dissipation de puissance maxi: 136W. Fonction: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: PN03L06. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V...

2.25€

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IPI80N06S2-08

Transistor canal N IPI80N06S2-08, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2860pF. C (out): 740pF. Dissipation de puissance maxi: 215W. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0608. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.72€

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IRC640

Transistor canal N IRC640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): HexSense TO-220F-5. Tension Vds(max): 200V. C (in): 130pF. C (out): 430pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 5. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.45€

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IRF1010E

Transistor canal N IRF1010E, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 83A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2800pF. C (out): 880pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Commutation rapide, résistance à l'état passant ultra faible. Id(imp): 330A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.85€

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IRF1010N

Transistor canal N IRF1010N, TO-220, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.11 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3210pF. C (out): 690pF. Charge: 80nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 72A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 130W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.2K/W. Td(off): 39 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: 55V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Utilisation: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v...

1.74€

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IRF1104

Transistor canal N IRF1104, 71A, 100A, 100A, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 71A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 100A. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Vgs 20V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Ultra faible résistance passante. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.40€

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IRF1310N

Transistor canal N IRF1310N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1900pF. C (out): 450pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.72€

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IRF1310NPBF

Transistor canal N IRF1310NPBF, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 41A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF1310NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

7.10€

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IRF1310NSPBF

Transistor canal N IRF1310NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 42A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F1310NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.36€

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IRF1324

Transistor canal N IRF1324, TO-220, 249A, 353A, 250uA, 1.2m Ohms, TO-220AB, 24V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 249A. Id (T=25°C): 353A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 24V. C (in): 5790pF. C (out): 3440pF. Charge: 160nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 353A. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 300W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 500mK/W. Td(off): 83 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 24V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 46 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.48€

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IRF1404

Transistor canal N IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 162A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 7360pF. C (out): 1680pF. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 202A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 650A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 750mK/W. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 40V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 71 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.45€

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IRF1404PBF

Transistor canal N IRF1404PBF, TO-220AB, 40V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5669pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 202A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Dissipation maximale Ptot [W]: 333W. Délai de coupure tf[nsec.]: 46 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF1404PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.55€

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