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FDP3652

Transistor canal N FDP3652, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 61A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2880pF. C (out): 3990pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 62 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.29€

Quantité en stock: 45

FDPF12N50NZ

Transistor canal N FDPF12N50NZ, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.46 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 945pF. C (out): 155pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 46A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (23nC typique), Low Crss 14pF. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: UniFET TM II MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.63€

Quantité en stock: 24

FDPF5N50T

Transistor canal N FDPF5N50T, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.15 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 480pF. C (out): 66pF. Dissipation de puissance maxi: 28W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (11nC typique), Low Crss 5pF. Td(off): 28 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.38€

Quantité en stock: 169

FDPF7N50U

Transistor canal N FDPF7N50U, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 720pF. C (out): 95pF. Dissipation de puissance maxi: 31.5W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (12nC typique), Low Crss 9pF. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.62€

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FDS6670A

Transistor canal N FDS6670A, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 2220pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDS6670A. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

2.95€

Quantité en stock: 69

FDS6690A

Transistor canal N FDS6690A, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 9.8m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1205pF. C (out): 290pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: commande par niveau logique. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 28 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.17€

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FDS6900AS

Transistor canal N FDS6900AS, SO, 8.2A, 8.2A, 30 v, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=25°C): 8.2A. Idss (maxi): 8.2A. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF/600pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8.2A/6.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: 6.9A, Rds-on 0.027 Ohms (Q1). Marquage du fabricant: FDS6900AS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 8.2A, Rds-on 0.022 Ohms (Q2). Technologie: Double transistor MOSFET à canal N. 'PowerTrench - SyncFET'. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.25€

+17 rapidement
Quantité en stock: 88

FDS6912

Transistor canal N FDS6912, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6A/6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDS6912. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

Quantité en stock: 162

FDS8884

Transistor canal N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 19m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 475pF. C (out): 100pF. Charge: 13nC. Courant de drain: 8.5A. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Nombre de sorties: 1. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 2.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: MOSFET, PowerTrench®. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V...

0.63€

+25 rapidement
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FDS9926A

Transistor canal N FDS9926A, 5.4A, SO, SO-8. Id (T=100°C): 5.4A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fonction: Rds-on 0.030 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Trr Diode (Min.): 15 ns. Type de canal: N...

0.91€

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FDV301N

Transistor canal N FDV301N, SOT23, 25V, 25V. Boîtier: SOT23. Vdss (tension drain à source): 25V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Capacité de grille Ciss [pF]: 9.5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.22A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 8 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 0.22A. Information: -. Marquage du fabricant: 301. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohms / 0.2A / 2.7V. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 301. Tension grille/source Vgs (Max): 8V. Type de montage: SMD...

0.17€

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FDV303N

Transistor canal N FDV303N, SOT-23, 25V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.68A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 303. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V...

0.34€

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FGA60N65SMD

Transistor canal N FGA60N65SMD, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 60A, TO-3PN, 650V. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Ic(T=100°C): 60A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. C (in): 2915pF. C (out): 270pF. Charge: 284nC. Courant crête collecteur Ip [A]: 180A. Courant de collecteur Ic [A]: 60A. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 600W. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Ic(puls): 180A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Puissance: 300W. RoHS: oui. Td(off): 104 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Field Stop IGBT'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension (collecteur - émetteur): 650V. Tension Emetteur - Gate: ±20V. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 47ms. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: IGBT...

10.12€

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FGB20N60SF

Transistor canal N FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2-PAK. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 940pF. C (out): 110pF. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: onduleur solaire, UPS, poste à souder, PFC. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: FGB20N60SF. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: transistor IGBT MOS canal N. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 12 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

7.08€

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FGH40N60SFDTU

Transistor canal N FGH40N60SFDTU, TO-247, 40A, TO-247AB, 600V. Boîtier: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2110pF. C (out): 200pF. Charge: 120nC. Conditionnement: tube en plastique. Courant crête collecteur Ip [A]: 120A. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur: 80A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Ic(puls): 60.4k Ohms. Marquage sur le boîtier: FGH40N60SFD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Puissance: 116W. RoHS: oui. Td(off): 115 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 600V. Tension Emetteur - Gate: ±20V. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: IGBT. Unité de conditionnement: 30...

8.02€

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FGH40N60SMDF

Transistor canal N FGH40N60SMDF, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1880pF. C (out): 180pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 80A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 349W. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Ic(puls): 60.4k Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Td(off): 92 ns. Td(on): 12 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

12.97€

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FGH40N60UFD

Transistor canal N FGH40N60UFD, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2110pF. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 80A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Ic(puls): 60.4k Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 112 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

7.72€

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FGH60N60SFD

Transistor canal N FGH60N60SFD, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2820pF. C (out): 350pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 378W. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SFD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

13.14€

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FGH60N60SFTU

Transistor canal N FGH60N60SFTU, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2820pF. C (out): 350pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 378W. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

12.60€

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FGH60N60SMD

Transistor canal N FGH60N60SMD, TO-247, 60A, TO-247AB, 600V. Boîtier: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2915pF. C (out): 270pF. Charge: 284nC. Conditionnement: tube en plastique. Courant crête collecteur Ip [A]: 180A. Courant de collecteur Ic [A]: 60A. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Ic(puls): 180A. Marquage du fabricant: FGH60N60SMD. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SMD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Puissance: 300W. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension (collecteur - émetteur): 600V. Tension Emetteur - Gate: ±20V. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: IGBT. Unité de conditionnement: 30...

10.30€

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FP25R12W2T4

Transistor canal N FP25R12W2T4, 25A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1.45pF. Courant de collecteur: 39A. Dimensions: 56.7x48x12mm. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 175W. Fonction: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Ic(puls): 50A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 33dB. Remarque: 7x IGBT+ CE Diode. RoHS: oui. Td(off): 0.46 ns. Td(on): 0.08 ns. Technologie: Module hybride IGBT. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

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FQA10N80C

Transistor canal N FQA10N80C, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Id (T=100°C): 6.32A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2150pF. C (out): 180pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 240W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Id(imp): 40A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA10N80C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 730 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 3V...

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FQA11N90C

Transistor canal N FQA11N90C, TO-3PN, 900V. Boîtier: TO-3PN. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FQA11N90C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

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FQA11N90C_F109

Transistor canal N FQA11N90C_F109, TO-3PN, 900V. Boîtier: TO-3PN. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FQA11N90C_F109. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...