FQAF11N90C
Transistor canal N FQAF11N90C, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 900V, 4.4A, 7A, 100uA, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.91 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2530pF. C (out): 215pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Id(imp): 28A. Idss (min): 10uA. Marquage du fabricant: FQAF11N90C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...
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