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IRL3502SPBF

Transistor canal N IRL3502SPBF, D²-PAK, TO-263, 20V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4700pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 110A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 96 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L3502S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.73€

Quantité en stock: 50

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IRL3705NPBF

Transistor canal N IRL3705NPBF, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 89A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Dissipation maximale Ptot [W]: 170W. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL3705N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.14€

Quantité en stock: 587

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IRL40SC228

Transistor canal N IRL40SC228, D²-PAK/7, 40V. Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 19680pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 360A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Dissipation maximale Ptot [W]: 416W. Délai de coupure tf[nsec.]: 222 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 7. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 67 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

14.80€

Quantité en stock: 98

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IRL520NSPBF

Transistor canal N IRL520NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L520N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.36€

Quantité en stock: 151

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IRL530NSTRLPBF

Transistor canal N IRL530NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800 ns. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L530NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.66€

Quantité en stock: 126

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IRL540NSTRLPBF

Transistor canal N IRL540NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 36A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L540NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

3.26€

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Quantité en stock: 6400

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IRL640S

Transistor canal N IRL640S, SMD-220, 200V. Boîtier: SMD-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L640S. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

3.55€

Quantité en stock: 3

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IRL640SPBF

Transistor canal N IRL640SPBF, SMD-220, 200V. Boîtier: SMD-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L640S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

3.55€

Quantité en stock: 100

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IRLD024PBF

Transistor canal N IRLD024PBF, DIP4, 60V. Boîtier: DIP4. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRLD024PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.47€

Quantité en stock: 270

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IRLL014NTRPBF

Transistor canal N IRLL014NTRPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 230pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL014N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.06€

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Quantité en stock: 3762

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IRLL024NTRPBF

Transistor canal N IRLL024NTRPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 510pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 18 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL024. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.01€

Quantité en stock: 1236

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IRLL110TRPBF

Transistor canal N IRLL110TRPBF, SOT-223, 100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 250pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.3 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

0.81€

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IRLL2705TRPBF

Transistor canal N IRLL2705TRPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2705. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.89€

Quantité en stock: 3157

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IRLML2502TRPBF

Transistor canal N IRLML2502TRPBF, SOT-23, 20V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 1g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V...

1.18€

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IRLR2905TRPBF

Transistor canal N IRLR2905TRPBF, D-PAK, TO-252, 55V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 42A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRLR2905PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.59€

Quantité en stock: 2535

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IRLR3410TRPBF

Transistor canal N IRLR3410TRPBF, D-PAK, TO-252, 100V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 97W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LR3410. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.66€

Quantité en stock: 2429

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IXFH13N80

Transistor canal N IXFH13N80, TO-247AD, 800V. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 63 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXFH13N80. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

39.37€

Quantité en stock: 33

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IXFH26N50Q

Transistor canal N IXFH26N50Q, TO-247AD, 500V. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 26A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXFH26N50. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

28.12€

Quantité en stock: 21

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IXFH58N20

Transistor canal N IXFH58N20, TO-247AD, 200V. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 58A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXFH58N20. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

26.31€

Quantité en stock: 6

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IXFK140N30P

Transistor canal N IXFK140N30P, TO-264AA, 300V. Boîtier: TO-264AA. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 300V. Capacité de grille Ciss [pF]: 14000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1040W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXFK140N30P. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

50.32€

Quantité en stock: 29

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IXFK64N60P

Transistor canal N IXFK64N60P, TO-264AA, 600V. Boîtier: TO-264AA. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 12000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1040W. Délai de coupure tf[nsec.]: 79 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXFK64N60P. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

39.37€

Quantité en stock: 25

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IXFN520N075T2

Transistor canal N IXFN520N075T2, SOT-227B (ISOTOP), 75V. Boîtier: SOT-227B (ISOTOP). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 41000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 480A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Dissipation maximale Ptot [W]: 940W. Délai de coupure tf[nsec.]: 80 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: GigaMOS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 48 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

118.41€

Quantité en stock: 5

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IXTH24N50

Transistor canal N IXTH24N50, TO-247AD, 500V. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 80 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXTH24N50. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

26.64€

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IXTH5N100A

Transistor canal N IXTH5N100A, TO-247AD, 1 kV. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXTH5N100A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

21.90€

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