Transistor canal N IRL530NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V
Quantité
Prix unitaire
1-99
2.62€
100+
1.94€
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Transistor canal N IRL530NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800 ns. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L530NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43
IRL530NSTRLPBF
17 paramètres
Boîtier
D²-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-263
Tension drain-source Uds [V]
100V
Capacité de grille Ciss [pF]
800 ns
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
1.3A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.1 Ohms @ 9A
Dissipation maximale Ptot [W]
1.3W
Délai de coupure tf[nsec.]
30 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
L530NS
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
7.2 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
2V
Produit d'origine constructeur
Infineon