Transistor canal N IXFH58N20, TO-247AD, 200V

Transistor canal N IXFH58N20, TO-247AD, 200V

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Transistor canal N IXFH58N20, TO-247AD, 200V. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 58A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXFH58N20. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IXFH58N20
16 paramètres
Boîtier
TO-247AD
Tension drain-source Uds [V]
200V
Capacité de grille Ciss [pF]
4400pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
58A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.04 Ohms @ 29A
Dissipation maximale Ptot [W]
300W
Délai de coupure tf[nsec.]
90 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IXFH58N20
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
25 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
IXYS