Transistor canal N IRLD024PBF, DIP4, 60V. Boîtier: DIP4. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRLD024PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43