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Transistor MJL21196

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Transistor MJL21196. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21195. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 11:25.

Documentation technique

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