Transistor IRG4BC30W

Transistor IRG4BC30W. Transistor. C (in): 980pF. C (out): 71pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: transistor MOSFET de puissance jusqu'à 150 kHz. Courant de collecteur: 23A. Ic(puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Marquage sur le boîtier: IRG 4BC30W. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 99 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.