Diodes standard et de redressement

Diode. Cj: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Double: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 50uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode 'soft recovery'. IF(AV): 15A. IFSM: 90A. IRM (max): 0.5mA. IRM (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.79V. VRRM: 1200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode 'soft recovery'. IF(AV): 70A. IFSM: 500A. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 650uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.66V. Tension de seuil Vf (min): 1.74V. VRRM: 1200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode 'soft recovery'. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 650uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.66V. Tension de seuil Vf (min): 1.74V. VRRM: 1200V. Unité de conditionnement: 10. Nombre de connexions: 2. Configuration: boîtier isolé, sans perçage. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Standard Rectifier. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.16V. VRRM: 1600V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: patte centrale (cathode D1, anode D2, en série)

Diode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Divers: Diode d'amortissement haute tension. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT Horizontal Deflection. IF(AV): 6A. IF(RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). IRM (max): 1mA. IRM (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension de seuil Vf (max): 2.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V. Nombre de connexions: 2

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 15A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Remarque: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Remarque: Diode d'amortissement haute tension

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 130 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 75A. Température: +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1500V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.8A. VRRM: 200V. Remarque: SPEC.SONY DIODA. Remarque: SONY 871904678

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Remarque: 30Ap/8.3ms. Remarque: Redresseurs à haut rendement

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V

Diode. Cj: 100pF. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Diode. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Remarque: Gl, S. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Spec info: 150Ap / 8.3ms

Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap

Diode. Cj: 15pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 300uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB / DO214AA. Tr: 75 ns. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Diode. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. IRM (max): 300uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC / DO214AB. Tr: 75 ns. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.5A. VRRM: 800V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SAMSUNG. Remarque: B29-04.79. VRRM: 400V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. Remarque: GI, S. VRRM: 200V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Remarque: 9x7mm. Remarque: MONITOR DAMP. Remarque: D09.15. VRRM: 1500V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. Remarque: 30App/8.3ms, marquage CMS ES1G. Nombre de connexions: 2. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Remarque: Diode de redressement à montage en surface ultra rapide

Diode. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 30A. Remarque: diode Schottky. Remarque: Ifsm--250A. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Remarque: double diode au silicium

Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Trr Diode (Min.): 0.15us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseur à très haute vitesse et à faible perte. IF(AV): 5A. IFSM: 80A. Remarque: DAMPER +MODULATION. Marquage sur le boîtier: CO23M-15 (C023M-15). Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)