Diodes standard et de redressement

Diode, 50A, 280A, TO-247, TO-247-2LD, CASE 340CL, 1200V. IF(AV): 50A. IFSM: 280A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 400uA. IRM (min): 200uA. Diode Schottky?: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.45V. Nombre de connexions: 2. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Fonction: SMPS, onduleur solaire, UPS, circuits de commutation de puissance. Spec info: Ifsm--280App

Diode, 10A, 60A, TO-220FP, TO-220F, 40V. IF(AV): 10A. IFSM: 60A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 40V. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 100 ns. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: diode Schottky. Remarque: Ifsm--60A/50Hz. Unité de conditionnement: 50. Remarque: double diode au silicium

Diode, 4A, TO-220, TO-220/2, 600V. IF(AV): 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220/2. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2

Diode, 3A, TO-220, TO-220/2, 1000V. IF(AV): 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220/2. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: SAMSUNG CHASS.KS3A D802

Diode, 3A, TO-220FP, TO-220F, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: SAMSUNG. Remarque: -RECTIFIER

Diode, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 0402-000491. Remarque: YG911S2. Remarque: -RECTIFIER

Diode, 2.5A, TO-220FP, TO-220F, 200V. IF(AV): 2.5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: SAMSUNG 0402-000431. Remarque: diode de redressement

Diode, TOP-3P. Boîtier (selon fiche technique): TOP-3P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: DAMPER +MODULATION. Remarque: double diode au silicium

Diode, 5A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 1500V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: diode Schottky. Remarque: Ifsm--50A. Remarque: double diode au silicium

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 100V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 'Fast Recovery Rectifiers'. Remarque: 30App/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery Rectifiers'. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Spec info: 30App/8.3ms

Diode, DO-15, DO-15, 400V. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 60App/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, DO-15, DO-15, 600V. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 60App/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1.5A, 60A, DO-15, DO-15, 1000V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Diode, 1A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Diode, DO-214, DO-214AC ( SMA ), 1000V. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 30App/10ms

Diode, 2A, 60A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 30pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Diode, 2A, 50A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Diode, 2A, 50A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Diode, 3A, DO-27, DO-27 ( 9x5.3mm ), 600V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: FAST RECOVERY RECTIFIER. Remarque: IFSM--200Ap/8.3mS. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB ( SMC ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. Remarque: 100App/10ms. Nombre de connexions: 2. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB ( SMC ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Cj: 60pF. Trr Diode (Min.): 500 sn. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMC DO214AB, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms)

Diode, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS

Diode, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x5.2mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Recovery Rectifier. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms