Diodes standard et de redressement

Diode, 1A, 300V. IF(AV): 1A. VRRM: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI

Diode, 20mA, DO-214, SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ), 45V. IF(AV): 20mA. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Circuit pilote LED 20mA/45V. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: commande de LED à courant constant. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité par boîtier: 1. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V

Diode, 40mA, DO-214, SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ), 45V. IF(AV): 40mA. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Circuit pilote LED 40mA/45V. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: commande de LED à courant constant. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité par boîtier: 1. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V

Diode, 15A, 150A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 15A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V

Diode, 30A, 300A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V

Diode. Remarque: Uf 0.98V. Remarque: Ifsm--65App. Remarque: diode à récupération ultra rapide

Diode, 5A, TO-220, TO-220, 200V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS

Diode, 20A, 275A, DO-4, DO-4P, 600V. IF(AV): 20A. IFSM: 275A. Boîtier: DO-4. Boîtier (selon fiche technique): DO-4P. VRRM: 600V. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Fonction: diode de puissance. Filetage: M5. Poids: 6g. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Spec info: 275App/10ms

Diode, 20A, 275A, DO-4, DO-4P, 600V. IF(AV): 20A. IFSM: 275A. Boîtier: DO-4. Boîtier (selon fiche technique): DO-4P. VRRM: 600V. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Fonction: diode de puissance. Filetage: M5. Poids: 6g. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: 275App/10ms

Diode, 40A, 600A, DO-5, DO-5P, 800V. IF(AV): 40A. IFSM: 600A. Boîtier: DO-5. Boîtier (selon fiche technique): DO-5P. VRRM: 800V. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Fonction: diode de puissance. Filetage: M6. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Spec info: 600App/10ms

Diode, 40A, 600A, DO-5, DO-5P, 800V. IF(AV): 40A. IFSM: 600A. Boîtier: DO-5. Boîtier (selon fiche technique): DO-5P. VRRM: 800V. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Fonction: diode de puissance. Filetage: M6. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Spec info: 600App/10ms

Diode, DO-205, DO-205AC. Boîtier: DO-205. Boîtier (selon fiche technique): DO-205AC. Remarque: DO-8P inversé, filetage M12. Remarque: boîtier fileté - Anode (courant élevé). Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires

Diode, 15.9A, 300A, TO-220FP, TO-220FP-3, 600V. IF(AV): 15.9A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery Rectifiers'. Température: +125°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50

Diode, 20A, 255A, TO-220, TO-220L, 800V. IF(AV): 20A. IFSM: 255A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220L. VRRM: 800V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifiers. IRM (max): 500uA. IRM (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A)

Diode, 25A, 350A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 800V. IF(AV): 25A. IFSM: 350A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode (1), anode (2), non connecté (3). Remarque: boîtier TO220 isolé. Quantité par boîtier: 1. Fonction: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Spec info: 350Ap

Diode, 0.2A, SOT-323, SOT-323, 20V. IF(AV): 0.2A. Boîtier: SOT-323. Boîtier (selon fiche technique): SOT-323. VRRM: 20V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: UMD3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Remarque: Ultra High Speed Switching. Remarque: sérigraphie/code CMS UMD3

Diode, 20mA, 500mA, 3x12mm, 12000V. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (min): 5uA. Dimensions: 3x12mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode, 20mA, 500mA, 3x12mm, 16000V. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. VRRM: 16000V. Cj: 1.8pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (min): 5uA. Dimensions: 3x12mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode, 5A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: Ultrahigh-Definition Display Applications. Remarque: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type

Diode, 20A, 180A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 300V. IF(AV): 20A. IFSM: 180A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. VRRM: 300V. Cj: 90pF. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. Marquage sur le boîtier: 20LC30. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle)

Diode, 3A, 100A, DO-201, DO-201AD, 1500V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 1500V. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: DIODE-RECTIFIER. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: DGP30L. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 100Ap

Diode, TO-220, T0-220FPAB, 1500V. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: DAMPER +MODULATION. Remarque: double diode au silicium

Diode, TO-220, T0-220AB, 1500V. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): T0-220AB. VRRM: 1500V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: DAMPER +MODULATION. Remarque: double diode au silicium

Diode, 11A, 75A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 11A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Dissipation de puissance maxi: 78W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.6V. Tension de seuil Vf (min): 2.2A. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C

Diode, 100A, 600A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 100A. IFSM: 600A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1.5mA. Dissipation de puissance maxi: 357W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.55V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C