Diodes standard et de redressement

Diode. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Remarque: ULTRA FAST ->l<-. Remarque: Ifsm--50A/10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 200V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.8A. Remarque: GI, S. VRRM: 600V

Diode. Cj: 55pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Double diode de récupération rapide. IF(AV): 6A. IFSM: 100A. Remarque: cathode commune. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms)

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. Remarque: 30Ap/8.3ms. Boîtier (selon fiche technique): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. VRRM: 200V. Remarque: GL

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. VRRM: 100V. Remarque: GL. Remarque: 125A/8.3ms

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. VRRM: 150V. Remarque: GL. Remarque: 125A/8.3ms

Diode. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Remarque: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Remarque: Ifsm 125Aps/8.3ms

Diode. Cj: 175pF. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Double diode de redressement ultra-rapide. cathode commune. IF(AV): 15A. IFSM: 300A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Diode. Cj: 145pF. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Double diode de redressement ultra-rapide. cathode commune. IF(AV): 15A. IFSM: 300A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. VRRM: 1200V. Remarque: Commutation à haute vitesse. Remarque: Ifsm--30App. Remarque: haute tension et haute fiabilité

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35ms. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast with soft recovery. IF(AV): 6A. IFSM: 60A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-2L. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Faible tension directe

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 32 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 10A. IFSM: 100A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-2L. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.15V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 34 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 10A. IFSM: 50A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-2L. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.2V. Tension de seuil Vf (min): 2V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Trr Diode (Min.): 90 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Damper + Modulation Diode'. IF(AV): 6A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Remarque: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 50A. IFSM: 280A. IRM (max): 400uA. IRM (min): 200uA. Diode Schottky?: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-2LD, CASE 340CL. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.45V. VRRM: 1200V. Nombre de connexions: 2. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Fonction: SMPS, onduleur solaire, UPS, circuits de commutation de puissance. Spec info: Ifsm--280App

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 100 ns. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 10A. IFSM: 60A. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: diode Schottky. Remarque: Ifsm--60A/50Hz. Unité de conditionnement: 50. Remarque: double diode au silicium

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 4A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220/2. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220/2. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Remarque: SAMSUNG CHASS.KS3A D802

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 200V. Remarque: SAMSUNG. Remarque: -RECTIFIER

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: 0402-000491. Remarque: YG911S2. Remarque: -RECTIFIER

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2.5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 200V. Remarque: SAMSUNG 0402-000431. Remarque: diode de redressement

Diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TOP-3P. Remarque: DAMPER +MODULATION. Remarque: double diode au silicium

Diode. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 1500V. Remarque: diode Schottky. Remarque: Ifsm--50A. Remarque: double diode au silicium

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. Remarque: 'Fast Recovery Rectifiers'. Remarque: 30App/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 100V