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Diode MUR820

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Diode MUR820. Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Marquage sur le boîtier: U820. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 09:25.

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Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: MUR860. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. Spec info: diode de redressement ultra rapide
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