Diode YG911S2
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.66€ | 4.39€ |
| 5 - 6 | 3.48€ | 4.18€ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.66€ | 4.39€ |
| 5 - 6 | 3.48€ | 4.18€ |
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Diode YG911S2. Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Remarque: plastique. Remarque: 0402-000491. Remarque: 50Ap / 10ms. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.
Produits équivalents :
ERC90-02
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. Remarque: GI, S. VRRM: 200V...
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. Remarque: GI, S. VRRM: 200V
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. Remarque: GI, S. VRRM: 200V
MUR860
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: s...
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: MUR860. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. Spec info: diode de redressement ultra rapide
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: MUR860. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. Spec info: diode de redressement ultra rapide
Nous vous recommandons aussi :
MUR420
Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: s...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
RHRP860
Diode. RoHS: oui. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr D...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
FQA13N50CF
Transistor. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Di...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
KBU8J
Pont redresseur. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur ci...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
RJP30E4
Transistor. C (in): 85pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Fonction: IGBT. Courant de collecteur: 30...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRF840
Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de tran...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
FUSE-2-500A-MF
Fusible réarmable. Courant maxi: 2.5A. Type de fusible: 'Flat Pack'. Fusible à souder sur circuit ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
P600M
Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement standard. Boîtier: soudure sur circu...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BYV26D
Diode. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-con...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
RFP50N06
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé....
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.