Transistor RJP30E4

Transistor RJP30E4. Transistor. C (in): 85pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Fonction: IGBT. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 250A. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 90 ns. Td(on): 40 ns. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 360V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.