Transistor FQA13N50CF

Transistor FQA13N50CF. Transistor. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 9.5A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 218W. Résistance passante Rds On: 0.43 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Technologie DMOS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 43nC). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.