Transistor RFP50N06

Transistor RFP50N06. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP50N06. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2020pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 131W. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): 50. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.