Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 42V, 0.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: oui. Famille de composants: low-side MOSFET. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 38us. Délai de coupure tf[nsec.]: 45us. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.78W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 42V, 0.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: oui. Famille de composants: low-side MOSFET. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 38us. Délai de coupure tf[nsec.]: 45us. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.78W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), TO-263/5, 42V, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TO-263/5. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 5. Marquage du fabricant: BTS410E2. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 125us. Délai de coupure tf[nsec.]: 85us. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 45V, 1.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS4141N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100us. Délai de coupure tf[nsec.]: 150us. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V, 11A. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-5-11. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Nombre de connexions: 5. RoHS: oui. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Marquage du fabricant: BTS432E2. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 300us. Délai de coupure tf[nsec.]: 80us. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/5, TO-263, 42V, 11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS432E2-SMD. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 300us. Délai de coupure tf[nsec.]: 80us. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200us. Délai de coupure tf[nsec.]: 250us. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/7, TO-263, 18V, 40A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: S50010E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), P-DSO-12, 40V, 2.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: P-DSO-12. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 12. Marquage du fabricant: BTS5210L. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 250us. Délai de coupure tf[nsec.]: 270us. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), P-DSO-12, 40V, 3.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: P-DSO-12. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 12. Marquage du fabricant: BTS5215L. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 250us. Délai de coupure tf[nsec.]: 270us. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/7, TO-263, 34V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS611L1. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 400us. Délai de coupure tf[nsec.]: 400us. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK/5, TO-252, 38V, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS6142D. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 600us. Délai de coupure tf[nsec.]: 600us. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), P-DSO-20, 34V, 2.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: P-DSO-20. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS721L1. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 400us. Délai de coupure tf[nsec.]: 400us. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 30 milliOhms, SO, PG-DSO20. Résistance passante Rds On: 30 milliOhms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): PG-DSO20. Fonction: 'Smart High-Side Power Switch'. Sortie: 2db N-MOS 43V 5.5A. Nombre de connexions: 20. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). VCC: 5...34V

Transistor canal N, 7.5A, 13.5A, 13.5A, 0.12 Ohms, 50V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 13.5A. Idss (maxi): 13.5A. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Remarque: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 2.1 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 750pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET SMPS. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Idss (min): 2uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2230pF. C (out): 510pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 62 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 347A. Idss (min): 0.05uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 166W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 84 ns. Td(on): 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. Id (T=100°C): 38A. Id (T=25°C): 54A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1200pF. C (out): 290pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 217A. Idss (min): 0.05uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 118W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 70 ns. Td(on): 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.064 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT-78 ( TO220AB ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 440pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: automobile, commutation de puissance, moteur 12 V et 24 V. Protection G-S: non. Id(imp): 81A. Idss (min): 0.05uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): P-TO263-3-2. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1220pF. C (out): 410pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Température de fonctionnement: -55...+175°C

Transistor canal N, 19A, 30A, 100uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AC, 50V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension Vds(max): 50V. C (in): 1500pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 42A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 125W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 22A, 39A, 39A, 40m Ohms, 50V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 39A. Idss (maxi): 39A. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Remarque: 250/500ns. Dissipation de puissance maxi: 125W. Technologie: V-MOS S/L

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 100V, 34A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUZ22. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 300 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1850pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 2.6A, 2.6A, 1000V. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 2.6A. Tension Vds(max): 1000V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 78W. Technologie: V-MOS L