Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, Autre, Autre, 600V. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Courant de collecteur: 30A. Dimensions: 107.5x45x17mm. Dissipation de puissance maxi: 700W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 250 ns. Td(on): 50 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 24. Spec info: 7x IGBT. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. Id (T=25°C): 0.1A. Idss (maxi): 0.1A. Résistance passante Rds On: 15 Ohms. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Remarque: 5ns...20ns. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Technologie: D-MOS Log.L

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.173A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSN20. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 25pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

ROHS: nem. Boîtier: SOT23

Transistor canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 250pF. C (out): 88pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Idss (min): 10nA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 8.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 6 ns. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 600V, 0.12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP125. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 130pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 600V, 0.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP135. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 146pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 60V, 1.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP295. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 368pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 200V, 0.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP297. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 240V, 0.35A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP89. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=25°C): 150mA. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 23pF. C (out): 6pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 600mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100V, 0.19A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 'SAs'. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 20.9pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100V, 0.17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=25°C): 170mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 680mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Mode d'amélioration du niveau logique transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 20pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 600V, 0.021A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SHS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 28pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 240V, 0.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SRs. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 77pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Id (T=25°C): 0.22A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 27pF. C (out): 13pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 0.88A. Idss (min): 0.5uA. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. Marquage sur le boîtier: SS. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 2.5 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Id (T=25°C): 0.2A. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 50pF. C (out): 25pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. Idss (min): 0.5uA. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. Marquage sur le boîtier: SS. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Poids: 0.008g. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 50V, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 36ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 27pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J1. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 250V, 0.03A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: STs. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 76pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 55V, 0.54A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 75pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 0.25A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. Id (T=25°C): 0.25A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 240V. C (in): 80pF. C (out): 15pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id(imp): 1A. Idss (min): 100uA. Marquage sur le boîtier: SS88. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: 'Enhancement mode'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.6V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. Id (T=25°C): 0.19A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SOT54. Tension Vds(max): 100V. C (in): 25pF. C (out): 8.5pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 0.01uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Very fast switching, Logic level compatible. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non