Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 40V. C (in): 5100pF. C (out): 1270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation, applications automobiles. Protection G-S: non. Id(imp): 480A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 200N4F3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 14A, 20A, 20A, 0.06 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 20A. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGHdv/dtCAP. Remarque: Low Gate Charge. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: II Power Mos

Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FD. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 192W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FP. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 870pF. C (out): 125pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100us. Tension de seuil de la diode: 1.5V. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Protection G-S: non. Id(imp): 104A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P24NF10. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Spec info: faible charge d'entrée. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.135 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1800pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 26NM60N. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Spec info: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.038 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1180pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110us. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 140A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 115W. RoHS: oui. Spec info: faible charge d'entrée. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 690pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: trr 65ns, dv/dt performant. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P36NF06. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 27 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 12A, 18A, 18A, 0.032 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 60V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: trr 65ns, dv/dt performant. Id(imp): 72A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: STripFET II POWER MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P36NF06L. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 660pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 2.9A. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 400pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 13.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P3NB60. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 11 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 4.6 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 440pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: non. Id(imp): 10.4A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 90W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3.5A, 3.5A, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 3.5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 900V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PowerMESH III

Transistor canal N, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V, 1.51A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Résistance passante Rds On: 3.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Id (T=100°C): 1.51A. Type de canal: N. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 9.6A

Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: très haut rapport dv/dt, pour applications de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P3NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Id (T=100°C): 1.89A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 590pF. C (out): 63pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Protection G-S: oui. Id(imp): 12A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V

Transistor canal N, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 2.4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P4NK50Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 310pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 1.76 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 16A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH

Transistor canal N, 4A, 4A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH

Transistor canal N, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 1.89A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH

Transistor canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3050pF. C (out): 380pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 220A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P55NE06. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 60V, TO220. Vdss (tension drain à source): 60V. Boîtier: TO220. Dissipation de puissance maxi: 110W. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 50A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT