Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1150pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 415 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: non. Id(imp): 28A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 48W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 40V, 1mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P1. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 3850pF. C (out): 650pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: applications de commutation, automobile. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 120N4F6. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 6.8A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Id (T=100°C): 6.8A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. C (in): 940pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50N. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. C (in): 850pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 122 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50ND. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (avec diode rapide). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 470pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D10NF10. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 540pF. C (out): 44pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 10NM60N. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 790pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 75. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2000. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 3A. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 310pF. C (out): 49pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 12A. Marquage sur le boîtier: D4NK50Z. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Transistor canal N, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 1.76 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 510pF. C (out): 47pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 16A. Marquage sur le boîtier: D4NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Transistor canal N, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. Id (T=100°C): 2.77A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-3. Tension Vds(max): 525V. C (in): 545pF. C (out): 45pF. Type de canal: N. Nombre de canaux: 1. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: applications de commutation, charge de porte minimisée, faible IDSS. Protection G-S: oui. Id(imp): 17.6A. Idss (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: 5N52K3. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: Enhancement type. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.25 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-3. Tension Vds(max): 525V. C (in): 529pF. C (out): 71pF. Type de canal: N. Nombre de canaux: 1. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: applications de commutation, charge de porte minimisée. Protection G-S: oui. Id(imp): 17.6A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 5N52U. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: Enhancement type. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23.1 ns. Td(on): 11.4 ns. Technologie: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.84 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 363pF. C (out): 24.6pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 213 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 7NM60N. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 53A. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). Tension Vds(max): 500V. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. Dissipation de puissance maxi: 460W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Isolation électrique: 2500V (AC-RMS). Td(on): 46 ns. Technologie: PowerMesh II MOSFET. Tf (type): 38 ns. Tr: 70 ns. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension grille/source Vgs: ±30V

Transistor canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 850pF. C (out): 44pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 11NM60ND. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 870pF. C (out): 50pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13N80K5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1000pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 18NM60. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F3NK80Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220FP, 1 kV, 3.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5NK100Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1154pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F9NK90Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100mA. Résistance passante Rds On: 0.63 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 452pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 324 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Protection G-S: non. Id(imp): 26A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: 9NM60N. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 26A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 610pF. C (out): 65pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: variateur de lumière, relais statique, pilote de moteur. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 100A. Marquage sur le boîtier: GF10NB60SD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: faible chute de tension (VCE(sat)). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 1.2 ns. Td(on): 0.7 ns. Technologie: PowerMESH IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.35V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V