Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2860pF. C (out): 740pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0608. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 215W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Protection G-S: non

Transistor canal N, 6m Ohms, PG-SOT223. Résistance passante Rds On: 6m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): PG-SOT223. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 6.9W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -40...+150°C

Transistor canal N, 0.065 Ohms, TO-220AC. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Boîtier: TO-220AC. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 33A. Puissance: 171W. Diode intégrée: oui

Transistor canal N, 0.018 Ohms, TO-247AC. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier: TO-247AC. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 106A. Puissance: 446W. Diode intégrée: oui

Transistor canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): HexSense TO-220F-5. Tension Vds(max): 200V. C (in): 130pF. C (out): 430pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 5. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 83A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2800pF. C (out): 880pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, résistance à l'état passant ultra faible. Id(imp): 330A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.11 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3210pF. C (out): 690pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Utilisation: -55...+175°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 71A, 100A, 100A, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 71A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 100A. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Vgs 20V. Dissipation de puissance maxi: 170W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Ultra faible résistance passante

Transistor canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1900pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 100V, 41A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 41A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF1310NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F1310NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. Id (T=100°C): 249A. Id (T=25°C): 353A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 24V. C (in): 5790pF. C (out): 3440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 46 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 83 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 162A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 7360pF. C (out): 1680pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 71 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 650A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 40V, 202A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 202A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF1404PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 46 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5669pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 333W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 190A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.7M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 4340pF. C (out): 1030pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 220W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F1404S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 72 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7360pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 190A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.7M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 4340pF. C (out): 1030pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 220W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 118A. Id (T=25°C): 169A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0046 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5480pF. C (out): 1210pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 88 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 55V, 169A, 0.0053 Ohms, TO-220, 55V. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Résistance passante Rds On: 0.0053 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 55V. Marquage du fabricant: IRF1405PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5480pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 330W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 169A. Puissance: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0037 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 4780pF. C (out): 770pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 600A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0078 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 5600pF. C (out): 890pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.0078 Ohms, TO-220, 75V. Résistance passante Rds On: 0.0078 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 75V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 130A. Puissance: 330W

Transistor canal N, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.8M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 6450pF. C (out): 1690pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Id(imp): 1080A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.9M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5110pF. C (out): 1190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Id(imp): 700A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 13m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 3850pF. C (out): 610pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 280A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non