Transistor canal N, 55V, 169A, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB - IRF1405PBF

Transistor canal N, 55V, 169A, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB - IRF1405PBF. Transistor canal N, 55V, 169A, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: IRF1405PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5480pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 330W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Produit d'origine constructeur Infineon. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 15:25.