Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 8A, 600V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HA, Hi-res. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 8A, 600V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HA, Hi-res. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M31/J, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W

Transistor NPN, 15A, 800V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HA hi-def.. Dissipation de puissance maxi: 180W. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 400V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: Applications de pilote haute tension. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Spec info: hFE 100...200. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 450V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 130W. Spec info: 500/2200ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V

Transistor NPN, 0.065A, 10V. Courant de collecteur: 0.065A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF. Spec info: 9000MHZ. Puissance: 200mW. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 1.5V

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: 2SD4106M. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C4107. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220F, 120V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 14A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.7A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 270 MHz. Fonction: hFE1 1500, hFE2 600 . Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMV-5, 0.15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMV-5. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.15A. RoHS: oui. Famille de composants: double transistor bipolaire NPN. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 5. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 80 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 3A, 800V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: (F). Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: Transistor de puissance de commutation. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: série HFX. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: S-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1633. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Courant de collecteur: 0.3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur large bande VHF. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Transistor NPN haute tension pour applications audio et à usage général.. Gain hFE mini: 60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1668. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, 120V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Dissipation de puissance maxi: 75W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1671. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 10A, 140V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1672. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V

Transistor NPN, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Dissipation de puissance maxi: 85W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1673. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: SMPS. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1695. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1695. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: High hFE, LOW Vce(sat). Dissipation de puissance maxi: 25W. Technologie: Transistor planaire triple diffusion NPN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V