Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: ISOWATT218. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Gain hFE maxi: 6. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 15A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Spec info: MONITOR. Tf (type): 190 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 10A, 700V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Remarque: MONITOR. Dissipation de puissance maxi: 57W. Spec info: Ts 2.1/3.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 4A, 400V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: haute tension, commutation rapide. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: TO-220. Tf (type): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide haute tension, pour alimentations à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 6A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide pour alimentations à découpage. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 13.5. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMPS S-L. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: commutation rapide. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide pour alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 7A, 450V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMPS S-L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Spec info: commutation rapide. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: SMPS S-L. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 14. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: commutation rapide. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 9V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUL45D2G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 13 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN bipolaire à gain élevé et à grande vitesse. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 22. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 12V

Transistor NPN, 4A, 500V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMPS S-L. Dissipation de puissance maxi: 65W. Spec info: haute vitesse. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 5. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( SOT186A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 32W. Spec info: Tf 170ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Dissipation de puissance maxi: 23W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: haute tension, haute vitesse. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 33W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 33W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 4A, 350V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Fonction: S-L, SN. Dissipation de puissance maxi: 55W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V