Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-37 ( TO-50 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-37 ( TO-50 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5GHz. Fonction: Amplificateur RF jusqu'à la gamme GHz pour amplificateur d'antenne.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 25. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 700W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Planar RF Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.8GHz. Fonction: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50mA. Marquage sur le boîtier: E2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 450 MHz. Fonction: 'IF and VHF thick and thin-film circuit'. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 25mA. Marquage sur le boîtier: G1*. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS G1p, G1t, G1W

Transistor NPN, 0.2A, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF-A. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BFU590G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 24V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8.5GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) BFV421

Transistor NPN, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-72. Boîtier (selon fiche technique): TO-72. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.6GHz. Fonction: VHF-UHF-A. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 100mA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Boîtier: TO-50. Courant de collecteur: 0.025A. Boîtier (selon fiche technique): TO-50-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Résistance B: non. Diode BE: transistor NPN haute fréquence. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé (CMS). C (in): TO-50. Diode CE: composant monté en surface (CMS). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3.2GHz. Fonction: Amplificateur RF large bande jusqu'à la gamme GHz.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Spec info: 'Planar RF Transistor'

Transistor NPN, 1A, 100V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF/S. Remarque: b>70. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), 50V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF/HF/S. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF/HF/S. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.25A, 50V. Courant de collecteur: 1.25A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 860 MHz. Fonction: UHF-L. Dissipation de puissance maxi: 1.07W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 36V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 36V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 470 MHz. Fonction: UHF-L. Dissipation de puissance maxi: 7.8W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, 40V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 860 MHz. Fonction: UHF-L. Dissipation de puissance maxi: 2W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Smart High-Side Power Switch'. Equivalences: ISP452. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Spec info: miniPROFET. Diode CE: oui

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-261AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: AS3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 350 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Marquage sur le boîtier: U8. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 60 ns. Tr: 25 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: sérigraphie/code CMS U8. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: U8. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: U8. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 90pF. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: AR4. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 1000 ns. Tr: 250 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS AR4. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( SOT-54 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Courant de collecteur: 250mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 25. Marquage sur le boîtier: B2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Spec info: sérigraphie/code CMS B2

Transistor NPN, 1A, 120V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Dissipation de puissance maxi: 5W. Type de transistor: NPN. Spec info: TO39

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Diode CE: oui

Transistor NPN, 7A, 60V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 130V