Transistors

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 1500. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 20A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor Darlington. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) BDT65C. Diode BE: oui. Diode CE: oui

Transistor. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Fonction: hFE 1000. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDT64C. Diode BE: oui. Diode CE: oui

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 130.42144

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDV64BG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1000. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65B

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Fonction: hFE 1000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65C

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 15A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDV65BG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1000. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV64B

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW42G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 85W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW47G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 85W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-93. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW83C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Fréquence de coupure ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW84C

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Nombre de connexions: 3. Fonction: hFE 750 (@3V, 6A). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW84D

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Fonction: hFE 750 (@3V, 6A). Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW83C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-93. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW84D. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Nombre de connexions: 3. Fonction: hFE 750 (@3V, 6A). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW83D

Transistor. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Marquage du fabricant: BDW93C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 20 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 80W. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 33W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Fonction: transistor complémentaire (paire) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 12A. Puissance: 33W. Boîtier: TO-220FP

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW93C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW94C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: transistor complémentaire (paire) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 33W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Fonction: transistor complémentaire (paire) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Gain hFE maxi: 750. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 2.5V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 70W. Fréquence maxi: 20MHz. Gain hFE min.: 750. Nombre de connexions: 3. Fonction: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX34C

Transistor. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Gain hFE maxi: 750. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (in): oui. C (out): -100V. Nombre de connexions: 3. Fonction: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX33C. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDX34CG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 8A. Puissance: 20W. Fréquence maxi: 20MHz. Boîtier: TO-220-F. Gain hFE min.: 750