Transistor BDT64C

Transistor BDT64C. Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 1500. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 20A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor Darlington. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) BDT65C. Diode BE: oui. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 17:25.