Transistors

Transistor. Type de canal: N-P. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Remarque: ID(AV)--N--9A P--8A. Remarque: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Remarque: Vdss 30V (N), -30V (P)

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: DIP-8. Boîtier: DIP. Quantité par boîtier: 2. Remarque: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD TO-252-4L*. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

Transistor. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 8.4A. Id (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (maxi): 10.4A. Marquage sur le boîtier: 4800C G M. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Fonction: commutation rapide, convertisseur DC/DC. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 8440pF. C (out): 1775pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 48A. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 88N30W. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 312W. Résistance passante Rds On: 48m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1440pF. C (out): 160pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 43 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 36W. Résistance passante Rds On: 0.064 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 25V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 4. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms

Transistor. C (in): 1170pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Id(imp): 150A. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 9962GH. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 27.8W. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 8 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Fonction: MOS-N-FET. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.050R (50m Ohms)

Transistor. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Id(imp): 90A. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 9971GH. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 39W. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: NO. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.3W. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220CFM. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Id(imp): 28A. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 7A. Marquage sur le boîtier: 9971GM. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 4W. Résistance passante Rds On: 0.050R (50m Ohms). RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Fonction: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: td(on) 12ns. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension Vds(max): 20V

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Enhancement Mode DUAL MOSFET (N-and P-Channel)'. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Remarque: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Remarque: Vds 30V & 30V

Transistor. C (in): 1685pF. C (out): 210pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 55ms. Fonction: Alimentations à découpage haute fréquence. Courant de collecteur: 56A. Ic(puls): 65A. Ic(T=100°C): 27A. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 4360pF. C (out): 895pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 280 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 164A. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 1000uA. Idss (min): 250uA. Dissipation de puissance maxi: 378W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOS 7 FREDFET. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 7400pF. C (out): 1000pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 176A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 450W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 260W. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-323. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 5.5V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 40mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.4GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-343. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: 5Fx. Tension drain-source Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 0.37V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.27W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Remarque: TU

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: B891F. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP