Transistor APT15GP60BDQ1G

Transistor APT15GP60BDQ1G. Transistor. C (in): 1685pF. C (out): 210pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 55ms. Fonction: Alimentations à découpage haute fréquence. Courant de collecteur: 56A. Ic(puls): 65A. Ic(T=100°C): 27A. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 20:25.