Transistors

Transistor. C (in): 2040pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 40A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): na. Marquage sur le boîtier: K2843. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 190 ns. Td(on): 58 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( 2-10R1B ). Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT.MOSV). Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 950pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 900ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 1.87 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: TT-MOSV. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -...+150°. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 740pF. C (out): 380pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO–220FM. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2150pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 1.05 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 900V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Convertisseur DC-DC, relais et variateur de moteur. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 790pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 75A. Id (T=100°C): 12.5A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 10uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 160pF. C (out): 85pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 8A. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 10uA. Marquage sur le boîtier: KE. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 120ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MOS FET. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 ( MTP3 ). Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS KE. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 550pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 1.3us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 100uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: MOSFET de commutation de puissance, utilisation industrielle. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5400pF. C (out): 1900pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=100°C): n/a. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 190 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS-V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: régulateur à découpage, convertisseur DC-DC, pilote de moteur. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 650pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 2us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Equivalences: FS5KM-10-AW. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: V-MOS (F). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F-3L. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 28A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 7A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 1.62 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON POWER MOS-FET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 800V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 0.75us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 40A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 0.58 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Remarque: Panasonic--B1CERR000022. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2280pF. C (out): 290pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 0.7us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 84A. Id (T=25°C): 21A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 78 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Protection G-S: non

Transistor. C (in): 740pF. C (out): 105pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 2.3 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 28A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 1.46 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1050pF. C (out): 110pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K3561. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1050pF. C (out): 110pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 6A. Marquage sur le boîtier: K3562. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 550pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 5A. Marquage sur le boîtier: K3563. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 700pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 9A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K3564. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1150pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 900ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 15A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K3565. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 470pF. C (out): 50pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 720 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 7.5A. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K3566. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 5.6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (maxi): 3.5A. Marquage sur le boîtier: K3567. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 1.7 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K3568. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 40A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K3569. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: oui. Poids: 1.7g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 50 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): SC-67, 2-10U1B. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOSVI). Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 700pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de transistor: MOSFET. Idss: 100uA. Nombre de connexions: 3. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K3667. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 3.2us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 36A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: K3679. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 95W. Résistance passante Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non