Transistors

Transistor. C (in): 900pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Yfs--8-16S. Id(imp): 75A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2507. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 0.046 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Type MOS à effet de champ (L2-TT-MOSV). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 220pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 4A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K2538. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power F-MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS (TT.MOSV). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K2545. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 45 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 105pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, H.V. Id(imp): 15A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, H.V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 800V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 2040pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 1.6us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K2611. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 95 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 150pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor à effet de champ. Protection G-S: Suppresseur. Id(imp): 6A. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: ZA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Type MOS (L2.TT.MOSV). Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 ( 2-5K1B ). Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 700pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 16A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 1mA. Marquage sur le boîtier: K2625. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 550pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Id (T=100°C): 1.3A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 1mV. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS (F). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI-LS. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 5.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V. Protection drain-source: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 950pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2640. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.73 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 900pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 32A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100nA. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: K2645. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 450pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2647. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 3.19 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 900pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 1.78 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 780pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K2662. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Fonction: High Speed Switching, Zener-Protected. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Transistor à effet de champ (TT-MOS V). Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1140pF. C (out): 105pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): na. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): na. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 2.1 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 210 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: HVX-2 Series POWER MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K2699. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 750pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 9A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K2700. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Convertisseurs DC-DC à commutation haute vitesse et haute tension. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 280pF. C (out): 58pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Id(imp): 6A. Id (T=25°C): 2A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 2A. Marquage sur le boîtier: K2715. Dissipation de puissance maxi: 20W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 20pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K2717. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Convertisseurs DC-DC à commutation haute vitesse et haute tension. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 830pF. C (out): 430pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à courant élevé. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 10uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 28m Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Transistor de puissance à effet de champ. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 800pF. C (out): 65pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(imp): 14A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K2750. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 1.7 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSV). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 5.5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1850pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 2.5us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 48A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): na. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Td(off): 140 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor MOSFET canal N. Puissance: 175W. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 700V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 2040pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): na. Marquage sur le boîtier: K2842. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 58 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT.MOSV). Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui