Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB35N07-E. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 800 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB49N04. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 600 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 75uA. Idss (min): 30uA. Dissipation de puissance maxi: 7W. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 45V. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 1NV04P

Transistor. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 125 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mosfet de puissance entièrement autoprotégé. Protection G-S: Diode Zéner. Id(imp): 14A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 50uA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 230 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 70V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: limitation linéaire du courant

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mosfet de puissance entièrement autoprotégé. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 50uA. Dissipation de puissance maxi: 83W. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: OMNIFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 70V. Dissipation maximale Ptot [W]: 83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): MOSFET. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNP35N07. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 1000 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 100 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Utilisation: Ilim= 35A IR= -50A. Tension Vds(max): 70V. Tension d'entrée Vin (max): 18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNP5N07-E. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 107ns. Type de transistor: MOSFET. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 75uA. Idss (min): 30uA. Remarque: sérigraphie/code CMS S3NV04DP. Marquage sur le boîtier: S3NV04DP. Dissipation de puissance maxi: 4W. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 450 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 45V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 193 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2940pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 277W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 130A. Puissance: 260W. Résistance passante Rds On: 0.0055 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 200A. Puissance: 260W. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain maxi: 30A. Puissance: 125W. Résistance passante Rds On: 0.056 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -100V

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 70A. Puissance: 125W. Résistance passante Rds On: 0.0086 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 100V

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Advanced Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Tension: 60V. Gain hFE maxi: 100 (500mA, 2V). Courant de collecteur: 100nA (ICBO). Nombre de connexions: 8. Maxi: 140 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance: 2.75W. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SM-8. Type de transistor: PNP & PNP. Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C. Quantité par boîtier: 2. Tension de saturation VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

Transistor. C (out): 120pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 1200. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.03V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2000. Fonction: transistor unijonction UJT, hi-beta, lo-sat. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX788. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX550. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX551. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 5pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 300mA. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX451. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 50pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 240 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tension de saturation VCE(sat): 0.23V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 30pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 175 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat) 0.9V. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX753. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Fonction: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX790

Transistor. C (out): 30pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat) 0.9V. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.17V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX653. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZTX758. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.5A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor PNP