Transistor VNB35N07E

Transistor VNB35N07E. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB35N07-E. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 800 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.